10.3969/j.issn.1009-279X.2009.06.001
硅阵列通孔微细电火花加工试验研究
硅通孔技术是MEMS封装和垂直集成传感器阵列实现电气互联的重要途径之一,采用微细电火花的方法可实现硅通孔加工的高深宽比,并满足表面完整性要求.设计了具有单脉冲检测功能的微能脉冲电源,将厚180 μm、电阻率0.01 Ω·cm N型单晶硅工件倒置在数控微位移平台上,通过微细电火花的方法加工出边长约为200 μm方形硅阵列通孔.该方法加工过程与材料晶向无关、热影响区小、加工精度高,可实现工件电极的微量蚀除和工具电极的少、无损耗,以达到硅通孔的高效、精密、微细和低成本加工.
阵列电极、微细电火花、单脉冲电源、硅通孔
TG661
2010-03-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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