脉冲应力增强的NMOSFET′s热载流子效应研究

摘要：

本文研究了交流应力下的热载流子效应,主要讨论了脉冲应力条件下的热空穴热电子交替注入对NMOSFET′s的退化产生的影响.在脉冲应力下,阈值电压和跨导的退化增强.NMOSFET′s在热空穴注入后,热电子随后注入时,会有大的退化量,这可以用中性电子陷阱模型和脉冲应力条件下热载流子注入引起的栅氧化层退化来解释.本文还定量分析研究了NMOSFET′s退化与脉冲延迟时间和脉冲频率的关系,并且给出了详细的解释.在脉冲应力条件下,器件的热载流子退化是由低栅压下注入的热空穴和高栅压下热电子共同作用的结果.

关键词：热载流子效应、脉冲应力、NMOSFET′s、电子陷阱

所属期刊栏目：30

分类号：TN406(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划863-SOC-Y-3-6-1

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：658-660