美国科学家用电沉积法制备锂电池用锗纳米线

摘要：

锗是一种重要的Ⅳ族半导体材料,可用来制造晶体管及各种电子装置.与硅相比,锗的电子迁移率是其2倍”3 900 cm2/(V·s)”,空穴迁移率是其4倍”1 900 cm2/(V·s)”,激子玻尔半径较大(24 nm)和空穴有效质量较低.因为锗的载流子迁移率较高,所以它被认为可以替代硅作为CMOS晶体管的活性管道材料.另外,锗还是一种非常有吸引力的锂离子电池负极材料,因为其理论充放电容量比石墨高.不过,由于它的体积在充放电过程中会发生370％的膨胀,所以会导致用其制作的电极发生破碎及电接触损失.

机标关键词：美国、科学家、电沉积、法制、锂电池、锂离子电池负极材料、载流子迁移率、晶体管、充放电、空穴迁移率、电子迁移率、半导体材料、有效质量、管道材料、放电过程、电子装置、玻尔半径、吸引力、容量比、电接触

所属期刊栏目：38

分类号：TB3;TN4

在线出版日期：2014-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：1781-1782