含有布拉格反射器的GaInP/GaInAs/Ge太阳电池研究

摘要：

通过数学方法,对中心波长为880 nm的布拉格反射器进行了理论计算和设计.采用MOCVD技术在Ge衬底上外延生长了15个周期,中心波长为880 nm的AlAs/GaAs结构的布拉格反射器,并且成功植入到GalnP/GalnAs/Ge结构的太阳电池中,使中间电池减薄到1.5μm,并且在AM0光谱下电池效率达到29.36％.

关键词：布拉格反射器、太阳电池、中心波长、反射率

所属期刊栏目：38

分类号：TM914

在线出版日期：2014-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：841-843