Ag掺杂对Bi2(Te0.95Se0.05)3薄膜热电功率因子的影响

摘要：

采用瞬间蒸发技术在温度为473 K的玻璃基体上沉积了厚度为800 nm的Ag掺杂Bi2(Te0.95Se0.05)3热电薄膜.利用X射线衍射(XRD)技术对薄膜的物相结构进行表征,采用表面粗糙度测量仪测定薄膜厚度,薄膜的电阻率采用四探针法在室温下进行测量,在室温下对薄膜的Seebeck系数进行表征.Ag的掺杂浓度为0.2％,热电功率因子提高到16.1μW/(cm·K).Ag掺杂浓度从0.25％增加到0.5％,薄膜为p型半导体,热电功率因子呈减少的趋势.

关键词：热电薄膜、掺杂、热电功率因子

所属期刊栏目：35

分类号：TB910(计量学)

资助基金：江西省教育厅科技资助项目GJJ11625

在线出版日期：2012-03-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1583-1585