应用于太阳电池的InGaAs渐变缓冲层生长技术研究

摘要：

采用低压金属有机化学气相沉积设备(LP-MOCVD)进行了最终组分为In0 17Ga0.83As的渐变缓冲层结构的生长实验,获得了可以应用于晶格失配太阳电池性能优良的渐变缓冲层材料,并采用透射电镜(TEM)和X射线双晶衍射(XR0)进行了结构的相关性质研究.TEM截面图像表明,穿透位错被很好地限制在渐变层的初始阶段,渐变层成功阻止了穿透位错向结构表层的传播;同时,在TEM的平面模式中,表面几乎观察不到穿透位错的存在,表明其表面穿透位错密度小于107 cm-2量级.XRD的倒空间衍射(RSM)测试表明,缓冲层和其上的有源层接近完全弛豫,弛豫度分别为93%和96%,有源层存在微弱的压应变,表面残留应变小于0.04%.后续采用渐变缓冲层的晶格失配太阳电池器件正在制作中.

关键词：晶格失配、太阳电池、渐变缓冲层、TEM、RSM

所属期刊栏目：34

分类号：TM914.4

在线出版日期：2011-02-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1041-1043