质子辐射下GaAs/Ge太阳电池的性能退化

摘要：

对GaAs/Ge太阳电池进行了质子辐射实验.质子辐射的能量为70～170 keV,辐射的剂量为1×109～3×1012 cm-2.研究结果表明,GaAs/Ge太阳电池具有一定的抗辐射性能;能量小于200 keV的质子辐射中,质子辐射能量相同条件下,随辐射剂量的增加,电池性能参数短路电流Isc、开路电压Uoc、最大功率Pm和填充因子FF衰降增大;质子辐射 剂量相同条件下,辐射能量越高,太阳电池性能衰降越大;在所有测试参数中,最大功率Pm的退化最为明显.

关键词：GaAs/Ge太阳电池、质子辐射、性能退化

所属期刊栏目：31

分类号：TM914.4

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G200551343

在线出版日期：2008-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：819-822