Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体整体多结级连太阳电池——光伏技术的新突破(续)
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10.3969/j.issn.1002-087X.2007.04.002

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体整体多结级连太阳电池——光伏技术的新突破(续)

引用
@@ 3 基于GaAs的空间用多结级连太阳电池进一步的研究课题 3.1 用晶格失配的材料系统实现与太阳光谱更好的匹配 前面已提到,与Ge晶格匹配的GaInP2/Ga(In)As/Ge三结电池材料系统无论对于空间还是地面阳光,都不是最理想的选择.

族化合物半导体、太阳电池、材料系统、太阳光谱、研究课题、三结电池、晶格匹配、空间、晶格失配、选择、理想、地面

31

TN3;TN2

2007-06-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

259-262

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