低功耗宽带低噪声放大器的设计

摘要：

分析低噪声放大器的设计原理,采用两级电流复用负反馈结构,基于砷化镓(Gallium Arsenide,GaAs)工艺,利用先进设计系统(Advanced Design System,ADS)软件仿真设计了一款低功耗宽带低噪声放大器芯片,该芯片尺寸仅为1.5 mm×?0.9 mm×0.1 mm.通过对芯片性能进行测试,在频带6～12 GHz内,其增益约为23 dB,噪声系数≤1.1 dB,端口回波损耗≥12 dB,输出功率1 dB压缩点P-1≥10 dBm,+5 V电源端口工作电流为17 mA.

关键词：低噪声放大器、宽带、砷化镓(GaAs)、先进设计系统(ADS)、低功耗

所属期刊栏目：47

分类号：TN72(基本电子电路)

在线出版日期：2023-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：117-120