预共晶条件下单晶硅接头的组织性能研究

摘要：

通过在单晶硅表面预制一层Au-Si熔敷层,利用Au -Si低温共晶原理实现预共晶条件下单晶硅的低温扩散连接.分析表明,在界面的共晶组织中,Si的生长形态受晶体学取向和生长环境共同作用.由于Au-Si互不相溶,随着温度的升高,晶粒呈枝蔓状生长,其中某些晶粒沿着基体生长并最终实现基体的桥状连接.分析认为,随着预共晶温度的升高,接头焊缝区域逐渐变窄,焊合率上升,连接强度提高,Si的生长形貌趋于规则,界面中孔洞的数量减少和尺寸减小且趋于均匀.

关键词：单晶硅、扩散连接、Au-Si预共晶连接

所属期刊栏目：41

分类号：TG401(焊接、金属切割及金属粘接)

在线出版日期：2012-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：107-111