10.19306/j.cnki.2095-8110.2019.05.016
功率MOSFET并联主动均流设计与仿真
功率MOSFET并联在低压大电流领域是一种常见而且有效的解决方案.但是,由于MOSFET器件参数、回路寄生参数以及栅极驱动参数的差异性等因素,功率MOSFET器件并联时常常出现电流不均衡现象.通过Multisim仿真,分析了MOSFET器件参数因素以及外围电路特性对并联支路静态和动态电流的影响;根据法拉第电磁感应定律以及磁通约束原理,采用耦合电感的均流方法,在并联的各支路中串入共磁芯耦合线圈,实现了各并联支路的电流平衡;然后,通过建立耦合电感的电路以及数学模型,揭示了串入耦合电感实现均流的数学原理.最后,通过仿真验证了串入耦合电感实现并联功率MOSFET均流方法的有效性与可行性.
功率MOSFET、并联、均流、耦合电感、仿真
6
TP391.9(计算技术、计算机技术)
上海市伺服系统工程技术研究中心项目15DZ2250400
2019-11-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共8页
115-122