基于GaAs工艺的Ku波段高增益低噪声放大器

摘要：

文章采用0.13 pm GaAs PHEMT工艺技术设计了一款MMIC低噪声放大器(LNA),该低噪声放大器工作频段为13～17GHz,采用了双电源供电的两级放大结构,偏置电路采用电感加并联电容的滤波结构来隔离直流信号与射频信号,在第二级放大器的栅极和漏极之间引入负反馈网络来增加电路的稳定性、拓展放大器的带宽和改善增益平坦度.仿真结果表明:在13～17 GHz频带范围内,低噪声放大器的噪声系数小于1.8 dB,增益大于23 dB,增益平坦度为±1.4 dB,输入驻波比小于1.58 dB,输出驻波比小于1.45 dB,芯片面积仅为1.8 mm×1.2 mm.

关键词：GaAs PHEMT、微波单片集成电路、低噪声放大器

所属期刊栏目：25

分类号：TN722.3(基本电子电路)

资助基金：四川省教育厅重点项目16ZA0172

在线出版日期：2023-08-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-5