两款V波段硅基滤波器的设计与分析

摘要：

文章介绍了两款采用硅基工艺和SIW结构的带通滤波器.滤波器结构采用高阻硅作为衬底材料,通过金属通孔阵列形成微波滤波器谐振腔,输入输出采用共面波导-微带转换结构,易于外部集成,通过探针台可以进行快速测试;同时该滤波器尺寸较小而且易于加工.将第一款滤波器的模型在HFSS上进行了仿真分析得到结果,第二款滤波器在第一款的基础上增加阶数以提升滤波器的带外抑制性能.仿真数据说明,不同尺寸的两款滤波器的通带频率均是55 GHz～60GHz,插入损耗分别是1.7dB和2.1dB,驻波比低于1.1,在50GHz带外抑制分别达到31dB和62dB.

关键词：V波段、滤波器、SIW、高阻硅

所属期刊栏目：21

分类号：TN713(基本电子电路)

在线出版日期：2019-06-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：62-64