10.3969/j.issn.1008-1151.2015.05.031
一种解决半选择问题的亚阈值9T SRAM存储单元
超低电压SRAM(静态随机存储器)是SRAM设计的一个重要研究方向。传统SRAM一方面由于静态噪声容限的下降,难以在低电压下正常工作,另一方面存在着严重的半选择问题。文章提出了一种9T(9管)结构的SRAM存储单元结构,该结构可以适应亚阈值电压的工作条件,同时可以避免读操作过程中的半选择问题。仿真实验显示,与传统8T SRAM结构相比,文章的9T存储单元可以节省至少68%的来自阵列的功耗。
SRAM、亚阈值、存储单元、低功耗、半选择
TN402(微电子学、集成电路(IC))
2015-07-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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83-84,82