一种解决半选择问题的亚阈值9T SRAM存储单元

摘要：

超低电压SRAM（静态随机存储器）是SRAM设计的一个重要研究方向。传统SRAM一方面由于静态噪声容限的下降，难以在低电压下正常工作，另一方面存在着严重的半选择问题。文章提出了一种9T（9管）结构的SRAM存储单元结构，该结构可以适应亚阈值电压的工作条件，同时可以避免读操作过程中的半选择问题。仿真实验显示，与传统8T SRAM结构相比，文章的9T存储单元可以节省至少68%的来自阵列的功耗。

关键词：SRAM、亚阈值、存储单元、低功耗、半选择

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2015-07-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：83-84,82