Co掺杂的ZnO基稀磁半导体薄膜的制备

摘要：

采用PLD 方法制备了5 at.% Co 掺杂的ZnO0.95Co0.05O 薄膜,以及Co,Al 共掺杂的样品,并对其进行了电学及磁学性质测量,发现ZnO:Co薄膜具有室温铁磁性,同时有着优异的透光特性及良好的导电性,有着集成磁光电特性与一体的潜质.Co,Al共掺杂的样品饱和磁矩有较为明显的增强,说明样品的铁磁性可能来源于载流子浓度的增加.

关键词：稀磁半导体、ZnO、载流子浓度

分类号：TN304.7(半导体技术)

在线出版日期：2010-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：108-109,96