热氧化法在GaN衬底上合成Cu2O薄膜

摘要：

通过真空热氧化法氧化用电子束蒸发技术沉积于GaN衬底表面的Cu薄膜,制备出了单一相外延的Cu2O薄膜.接着对样品在不同的温度下(400℃到800℃)进行真空热退火处理,详细分析讨论了对薄膜所造成的影响.在低于700 ℃的温度下退火,薄膜表面的均方根表面粗造度和禁带宽度都基本保持稳定.而X射线研究揭示了Cu2O薄膜保持着先前沉积的Cu薄膜与GaN衬底之间的外延关系.

关键词：氧化亚铜、热氧化法、退火

分类号：TB34(工程材料学)

在线出版日期：2010-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：104-105