10.3969/j.issn.1008-1151.2010.07.049
热氧化法在GaN衬底上合成Cu2O薄膜
通过真空热氧化法氧化用电子束蒸发技术沉积于GaN衬底表面的Cu薄膜,制备出了单一相外延的Cu2O薄膜.接着对样品在不同的温度下(400℃到800℃)进行真空热退火处理,详细分析讨论了对薄膜所造成的影响.在低于700 ℃的温度下退火,薄膜表面的均方根表面粗造度和禁带宽度都基本保持稳定.而X射线研究揭示了Cu2O薄膜保持着先前沉积的Cu薄膜与GaN衬底之间的外延关系.
氧化亚铜、热氧化法、退火
TB34(工程材料学)
2010-09-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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