用于GaN生长的蓝宝石衬底片化学机械抛光工艺研究

摘要：

对蓝宝石衬底片的化学机械抛光进行了研究.系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数,通过大量实验总结出了其影响因素并提出了优化方案,结果表明,采用粒径为40nm、低分散度的SiO2溶胶磨料并配合以适当参数进行抛光,可以获得良好的表面状态和较高的去除速率.能够有效提高蓝宝石表面的性能及加工效率.

关键词：蓝宝石、化学机械抛光、纳米硅溶胶

分类号：TP164.2(自动化基础理论)

在线出版日期：2008-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：112-113,125