10.3969/j.issn.1008-1151.2007.10.052
用于GaN生长的蓝宝石衬底片化学机械抛光工艺研究
对蓝宝石衬底片的化学机械抛光进行了研究.系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数,通过大量实验总结出了其影响因素并提出了优化方案,结果表明,采用粒径为40nm、低分散度的SiO2溶胶磨料并配合以适当参数进行抛光,可以获得良好的表面状态和较高的去除速率.能够有效提高蓝宝石表面的性能及加工效率.
蓝宝石、化学机械抛光、纳米硅溶胶
TP164.2(自动化基础理论)
2008-01-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
112-113,125