基于SiC MOSFET的两电平交流伺服驱动器主回路损耗研究
0 引言永磁同步电动机(PMSM)因其功率效率高、结构简单和功率因数高等优点,在交通运输、航空航天和工程装备等领域获得了广泛应用.功率器件是电动机驱动系统的关键部分之一.目前,Si功率器件结构设计制作工艺不断发展进步,已经接近其理论极限,依靠Si器件继续完善提高PMSM驱动系统性能的潜力有限.相比于硅材料,SiC具有较小内阻和介电常数,使得SiC MOSFET功率器件具有更小的通态损耗、开断损耗和更高的结温等优点”1”.
碳化硅、两电平、伺服驱动器、主回路、损耗
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2018-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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