HMDSO含量对纳秒脉冲激励Ar/HMDSO射流放电特性的影响

摘要：

通过在放电气体中添加含Si媒质可在材料表面引入含Si基团,能有效提高等离子体憎水改性效果,增强材料沿面耐压能力.该文选取六甲基二硅醚(HMDSO)为含Si媒质,采用纳秒脉冲激励在Ar/HMDSO中产生射流放电,通过电压电流波形测量等电气特性,发光图像、发射光谱及ICCD等光学特性诊断,研究了HMDSO含量对放电特性的影响,得到等离子体羽长度、放电功率、传输电荷、主要粒子谱线强度及电离波传播等参量随HMDSO含量的变化趋势,并结合放电电离反应及动态发展过程进行分析.结果表明,少量HMDSO的引入对放电有促进作用,体现在随添加含量的增加,射流体羽长度变长,注入功率和传输电荷量提高、主要粒子谱线强度增强,电离波传播速度和距离提升.这些参量在HMDSO体积分数为0.04％时达到最大值,当HMDSO体积分数大于0.04％时,放电强度开始减弱,表现在相关参量随HMDSO含量的增加而降低.HMDSO参与放电中直接电离反应及与Ar激励态反应,这两种反应的竞争是导致其对放电特性影响存在极值的原因.

关键词：等离子体射流、Ar/HMDSO、纳秒脉冲、憎水性、放电特性、表面改性

所属期刊栏目：36

分类号：TM213(电工材料)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;江苏省"六大人才高峰"高层次人才项目

在线出版日期：2021-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：2675-2683,2696