考虑寄生振荡的IGBT分段暂态模型对电磁干扰预测的影响分析

摘要：

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)开关过程的di/dt和du/dt是影响换流器电磁干扰(EMI)水平的主要因素.IGBT的寄生振荡是高频EMI的重要组成部分,振荡频点处会出现EMI峰值.该文提出一种考虑寄生振荡的IGBT分段暂态模型,分析回路寄生参数和器件非线性电容对开关特性的影响,分别计算不同阶段的电流和电压变化率.搭建二极管钳位感性负载测试平台,获取IGBT的电流和电压波形,分析对比分段模型和实际波形的频谱特性.最后,通过实验验证了模型中的振荡过程是影响电流频谱特性的关键,且采用器件电容Cgc的三段等效模型可以显著提高电压频谱预测的准确度.该文提出的模型提高了IGBT干扰源频谱的预测准确度,可用于评估实际换流器发射的EMI水平.

关键词：绝缘栅双极型晶体管、分段暂态模型、寄生振荡、频谱

所属期刊栏目：36

分类号：TM46(变压器、变流器及电抗器)

资助基金：国家电网有限公司总部科技项目52130419000M

在线出版日期：2021-07-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：2434-2445