高速SiC MOSFET开关特性的测试方法

摘要：

为正确地评估高速SiC MOSFET的开关特性,基于双脉冲测试平台对精准的测试方法进行研究.首先,仿真证明电路中寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响,优化设计PCB布局以减小寄生电感,对比PCB布局优化前后的测试结果.其次,对比分析续流二极管的结电容以及负载电感的寄生电容对SiC MOSFET开通特性的影响.然后,对比分析使用不同带宽的非隔离电压探头、不同电压探头地线连接方式、不同电流测试设备对测试结果的影响,并说明电压与电流波形之间相位延迟对开关能量损耗的影响.最后,对比分析不同测试点对测试结果的影响.

关键词：测试方法、开关特性、高速SiCMOSFET、寄生参数

所属期刊栏目：32

分类号：TM133(电工基础理论)

在线出版日期：2017-08-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：87-95