一种中电压大功率IGBT模块行为模型

摘要：

目前已有场终止型绝缘栅双极性晶体管(IGBT)行为模型以及仿真软件中的IGBT模型未专门针对中电压大功率IGBT模块搭建,不能准确模拟其区别于中小功率IGBT的行为特性.在已有行为模型基础上,提出引入IGBT基区存储电荷造成的等效电容及模块封装键合丝带来的寄生电感,考虑反并联PIN二极管行为模型,从而有针对性地实现了完整中电压大功率IGBT模块行为模型.同时提出了新的米勒电容函数拟合方法,量化分析行为模型完整开关过程中典型行为与模型参数的关系,通过较简便的方法实现了模型参数的提取.最后在Pspice环境下实现了一种3.3kV/1.5kA等级IGBT行为模型,并通过在Buck电路下仿真与实验波形对比证明了该行为模型的可行性和有效性.

关键词：中电压大功率、绝缘栅双极性晶体管、行为模型、动态特性

所属期刊栏目：32

分类号：TM564(电器)

资助基金：国家自然科学基金面上项目51177170、51277178;国家自然科学基金青年基金51407189

在线出版日期：2017-03-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：25-34