干式空心电抗器温度场计算与试验分析
基于电磁学和传热学理论,建立干式空心电抗器三维温升计算模型,首次考虑了星形支架损耗对包封热点温度的影响.应用损耗分离方式计算包封和星形支架的热源,采用有限容积法直接求解电抗器流体场与温度场,获得电抗器温度场分布特性,分析并总结包封轴向及径向温度分布规律.计算结果表明:星形支架损耗为包封损耗的3.7%,对包封热点温度的影响约为3K.最后,通过电抗器温升试验验证了温度场计算的准确性,为干式空心电抗器温升计算以及温升监测提供了理论基础和参考依据.
干式空心电抗器、损耗计算、流体场、温度场、有限容积法、温升试验
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TM862(高电压技术)
2017-05-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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