双基区结构快速软恢复二极管特性研究

摘要：

为研究引入缓冲层的双基区结构对功率二极管反向恢复特性的改善作用,本文定量地讨论了缓冲层厚度和表面浓度对二极管的反向恢复时间、软度因子以及正向压降的影响.依据双基区结构设计须满足的条件,建立了双基区结构二极管模型,模型仿真结果表明缓冲层的厚度越小或者缓冲层表面浓度越高,二极管的软度因子越大,反向恢复时间越长,这是由缓冲层浓度梯度的影响引起的.结合具体工程项目的参数要求,即二极管反向恢复时间trr≤250ns,反向阻断电压VB≥1 000V,正向压降VF≤1V,给出了缓冲层厚度和表面浓度的最优值,即缓冲层厚度为70μm,表面浓度为1×1017cm-3.通过样品试制与特性检测实验,证明了双基区结构二极管的软恢复特性.

关键词：双基区结构、缓冲层、软恢复、二极管

所属期刊栏目：30

分类号：TN312(半导体技术)

在线出版日期：2015-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1-7