Cascode型GaN HEMT输出伏安特性及其在单相逆变器中的应用研究

摘要：

近年来随着氮化镓器件制造工艺的迅速发展,氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)已经开始应用在电力电子领域.高压共源共栅(Cascode) GaN HEMT的出现使得GaN 器件可以在高压场合进行应用.本文首先研究了耗尽型GaN HEMT及Cascode GaN HEMT全范围输出伏安特性及其特点.结合Si MOSFET和耗尽型GaN HEMT的特性,本文重点研究了Cascode GaN HEMT的工作模态及其条件.最后,给出了500W基于600V Cascode GaN HEMT单相全桥逆变器的实验验证.实验结果和仿真验证证明了理论分析的正确性.

关键词：宽禁带半导体器件、GaN HEMT、共源共栅结构、输出伏安特性

所属期刊栏目：30

分类号：TM464(变压器、变流器及电抗器)

资助基金：北京市科技计划课题资助项目Z141100003114011

在线出版日期：2015-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：295-303