SiC MOSFET、Si CoolMOS和IGBT的特性对比及其在DAB变换器中的应用

摘要：

碳化硅(SiC)半导体器件由于其宽禁带材料的优良特性受到了广泛关注.SiC半导体器件作为一种新型器件,对其与Si半导体器件的特性对比及评估越来越有必要.本文主要对比了SiC MOSFET、Si CoolMOS和IGBT的静态特性.并搭建了基于Buck变换器的测试平台,测试条件为输入电压为400V,电流为4～ 10A,对比了三种器件的开关波形、开关时间、开关损耗、dv/dt、di/dt以及内部二极管的反向恢复特性.设计了一台2kW的双主动全桥(DAB)变换器的实验样机,对比了应用三种器件的DAB变换器的理论效率和实测效率.

关键词：SiC MOSFET、CoolMOS、IGBT、特性、DAB变换器

所属期刊栏目：30

分类号：TN409(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家电网科技项目5355DD130003

在线出版日期：2015-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：41-50