氮化镓功率晶体管三电平驱动技术

摘要：

作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)材料具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,无论在民用或是军事领域都具有广阔的应用前景.随着GaN技术的进步,大直径硅(Si)基GaN外延技术逐步成熟并向商用化方向发展.2010年以来,多家国际著名半导体厂商相继推出GaN功率晶体管器件.与硅半导体功率器件一样,合理的驱动方式也是GaN功率晶体管优越性能得以体现的重要保障.本文将以GaN功率器件在同步整流Buck变换器中的应用为例,提出一种三电平的驱动方式,以充分发挥GaN功率晶体管器件的优越性.实验结果表明,本文提出的三电平驱动方式可以有效提高变换器的效率.

关键词：氮化镓、GaN、三电平、驱动方式

所属期刊栏目：28

分类号：TM46(变压器、变流器及电抗器)

资助基金：中央高校基本科研业务费专项资金NS2012091;光宝科技电力电子科研基金、台达电力电子科教发展计划DREG2012005;江苏省新能源发电与电能变换重点实验室开放基金

在线出版日期：2014-03-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：202-207