关于SiC MOSFET雪崩特性的探讨

摘要：

针对SiC MOSFET的雪崩特性,利用UIS测试原理,通过功率半导体雪崩耐量测试台,对几大主流制造商的SiC MOSFET器件进行了毁坏性和非毁坏性的雪崩测试.通过测试,发现了同步信号高频震荡和雪崩电流采样不可靠的问题,提出了外接电流探头、与同步信号隔离的方法,改善了雪崩测试的可靠性.

关键词：SiCMOSFET、雪崩耐量、UIS测试

分类号：TM93

资助基金：国家重点研发计划项目编号 2016YFB0100603;自然科学基金项目编号 51577169

在线出版日期：2019-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：18-21