缓冲层对Fe3O4薄膜的结构与电磁性能影响

摘要：

利用直流反应磁控溅射法制备了厚度约100 nm成分单一的Fe3O4薄膜.对薄膜样品进行XRD测试,研究了不同缓冲层对薄膜结构的影响.结果表明:Fe3O4薄膜沉积在缓冲层上时,薄膜的各衍射峰与Fe3O4的尖晶石结构的衍射峰相似,以(311)峰为主峰;对薄膜表面的AFM测试结果表明引入缓冲层使得薄膜晶粒分布均匀,表面平整度较好,且可以有效地降低薄膜表面粗糙度,在La2/3Ca1/3MnO3上沉积时均方根粗糙度最小(RMS=1.47 nm);通过对Fe3O4薄膜磁电阻效应的测试,发现引入缓冲层的Fe3O4薄膜均呈现负磁电阻效应,电阻变化率对外加磁场的灵敏度减小;由于引入缓冲层后薄膜的晶体结构发生改变,增加了磁畴壁的移动阻力,薄膜的矫顽力和剩磁提高.

关键词：Fe3O4薄膜、缓冲层、巨磁电阻效应、电磁性能

分类号：TM271(电工材料)

在线出版日期：2016-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：15-19