10.3969/j.issn.1671-8887.2013.03.001
Bi掺杂AgSnO2(12)电接触材料的制备及性能研究
将采用化学沉淀法制备的Bi掺杂量为25%(原子分数)的SnO2纳米颗粒(Sn0.75Bi0.25O2)作为增强相,借助于粉末冶金法制备了AgSnO2(12)电接触材料,分析了Bi元素掺杂对电接触材料性能的影响。试验结果表明,Sn0.75Bi0.25O2纳米颗粒增强的AgSnO2(12)电接触材料组织结构均匀,密度、硬度高,导电性好。电性能试验表明,Sn0.75Bi0.25O2纳米颗粒增强材料的燃弧时间短、能量低,接触电阻低且稳定,抗电弧侵蚀能力强。
Bi掺杂、AgSnO2(12)、电接触材料、粉末冶金法、电性能
TM205+.1;TM501+.3;TG146.3+2(电工材料)
2013-10-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
1-5