靶材密度对射频磁控溅射法制备ITO薄膜性能的影响

摘要：

以不同密度的氧化锡铟(ITO)靶材为原料,采用射频磁控溅射法,在室温下沉积并经750℃退火,获得了电阻率为1.56×10?4Ω·cm、可见光透过率为87%的ITO薄膜.对不同密度靶材制备的ITO薄膜的微观结构、电学及光学性能进行了表征与探讨.结果表明,采用射频磁控溅射法时,不同靶材密度对ITO薄膜的沉积速率、结构、电学和光学性能均无显著影响.该结果为采用低密度ITO靶材制备高品质ITO薄膜提供了一个新的思路.

关键词：氧化锡铟(ITO)、靶材密度、薄膜、射频磁控溅射

分类号：TM23;TN304.055(电工材料)

在线出版日期：2013-04-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：41-44