10.3969/j.issn.1671-8887.2011.04.008
Ga掺杂ZnO导电粉的制备与工艺优化
通过正交实验设计,对Ga掺杂ZnO导电粉的制备工艺进行优化,确定出其最优参数为:掺杂比2mol%,反应温度85℃,反应时间10h,煅烧温度550℃.利用XRD、SEM和XPS对样品的性能进行检测,结果表明,按此条件制备的掺杂样品,经测量其电阻率为3.3×104Ω·cm.
Ga掺杂、ZnO导电粉、正交实验、均相沉淀
TM241;TM205.1(电工材料)
2012-03-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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