制备工艺对智能框架断路器用AgNi(30) C(3)触头材料性能的影响

摘要：

分别采用机械混粉法和化学包覆法制备AgNi(30) C(3)粉体,分析了不同制备工艺条件下AgNi(30)C(3)触头材料显微组织和性能的变化.结果表明,化学包覆法制备的AgNi(30) C(3)材料颗粒细小,分散均匀,基体结合强度较高.与机械混粉法制备的AgNi(30)C(3)相比,化学包覆法制备的AgNi(30)C(3)材料密度、硬度较高,电阻率较低,综合性能较佳.

关键词：AgNi(30) C(3)触头材料、混粉、包覆、智能框架断路器

分类号：TM205.1;TM501+.3(电工材料)

在线出版日期：2012-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：23-26