VO2薄膜制备及掺杂研究进展

摘要：

二氧化钒(VO2)是一种性能优异的功能材料,在68℃左右发生金属态-半导体态的转变,其光学和电学性能发生突变,在热电开关、光存储介质和激光防护方面有广泛的应用前景.但是由于钒氧体系十分复杂,给制备高质量的VO2带来了困难.人们做了许多工作来研究VO2的结构性能,使用不同的工艺方法制备VO2以及通过掺杂降低其相变温度.本文通过一些有代表性的VO2的研究成果,从制备工艺和元素掺杂方面做了介绍.

关键词：VO2薄膜、制备工艺、掺杂

分类号：TM205.1;O484.4(电工材料)

在线出版日期：2009-03-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：38-41