10.3969/j.issn.1001-9006.2017.02.001
大电流IGBT芯片的终端可靠性研究
针对大电流IGBT的耐压可靠性问题,对平面结终端技术及表面钝化的设计与工艺匹配性进行了研究.设计了一款1 200 V IGBT用FLR+ FP混合终端,利用仿真软件研究了各结构参数对终端耐压的影响,将此终端用在1 200 V/100 AIGBT芯片上进行流片验证,并进一步研究钝化工艺对终端耐压及可靠性的影响.改良后的终端结构击穿电压可达1 460V,可靠性得到显著提高,且具有更强的抗污染能力.
功率器件、终端技术、钝化工艺
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TN323(半导体技术)
2017-07-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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