大电流IGBT芯片的终端可靠性研究

摘要：

针对大电流IGBT的耐压可靠性问题,对平面结终端技术及表面钝化的设计与工艺匹配性进行了研究.设计了一款1 200 V IGBT用FLR+ FP混合终端,利用仿真软件研究了各结构参数对终端耐压的影响,将此终端用在1 200 V/100 AIGBT芯片上进行流片验证,并进一步研究钝化工艺对终端耐压及可靠性的影响.改良后的终端结构击穿电压可达1 460V,可靠性得到显著提高,且具有更强的抗污染能力.

关键词：功率器件、终端技术、钝化工艺

所属期刊栏目：31

分类号：TN323(半导体技术)

在线出版日期：2017-07-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-5