抛光液组分对钽晶圆化学机械抛光的影响

摘要：

为提高钽晶圆化学机械抛光(CMP)后的表面品质,通过电化学测试和化学机械抛光实验探究了纳米硅溶胶粒径、螯合剂种类(甘氨酸和乙二胺四乙酸二钠)及其质量分数,以及氧化剂(过氧化氢)质量分数对钽晶圆抛光过程的电化学行为、抛光速率及抛光后表面品质的影响.结果表明,采用40%(质量分数)平均粒径为50 nm的纳米硅溶胶为磨料,1.0%(质量分数)乙二胺四乙酸二钠为螯合剂,以及1%(质量分数)H2O2为氧化剂时,钽晶圆的抛光速率为71 nm/min,经CMP后的钽晶圆表面良好,无"橘皮"、划伤等现象.

关键词：钽晶圆、化学机械抛光、电化学测试、磨料、螯合剂、氧化剂

所属期刊栏目：42

分类号：TG175(金属学与热处理)

在线出版日期：2023-09-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：65-71