4-羟基苯甲酸对DSTI化学机械抛光SiO2/Si3N4去除选择性的影响

摘要：

针对直接浅沟槽隔离(DSTI)化学机械抛光(CMP)过程中SiO2/Si3N4 去除速率选择比难以控制的问题,采用CeO2(平均粒径300 nm)为磨料、4-羟基苯甲酸(4-HBA)为抑制剂,以及柠檬酸和四乙基氢氧化铵为pH调节剂,对SiO2晶圆和Si3N4晶圆进行CMP.研究了抛光液的 CeO2 质量分数、4-HBA 质量分数和 pH 对 SiO2/Si3N4 去除速率选择比的影响,得到较优的抛光液组成为:CeO2 0.5%(质量分数,后同),4-HBA 0.04%,pH = 4.5.采用较优抛光液时,SiO2/Si3N4的去除速率选择比达到97∶1,并且CMP后SiO2晶圆和Si3N4 晶圆的表面粗糙度(Sq)分别降至0.612 nm和0.226 nm,获得较好的表面品质.

关键词：直接浅沟槽隔离、化学机械抛光、4-羟基苯甲酸、氧化铈、去除选择性

所属期刊栏目：42

分类号：TG175(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金62074049

在线出版日期：2023-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：75-82