高电流密度通孔电镀铜用抑制剂的研究

摘要：

针对印制线路板(PCB)通孔高电流密度电镀的需求,通过循环伏安分析、霍尔槽试验和通孔电镀实验研究了不同分子量的聚乙二醇(包括PEG6000和PEG20000)、环氧乙烷(EO)与环氧丙烷(PO)共聚物(包括PE6400和17R4)及聚环氧乙烷-聚环氧丙烷单丁醚(50HB-400)5 种抑制剂对通孔导通电镀铜的影响.循环伏安分析表明,抑制剂对 Cu 电沉积的抑制能力受其分子结构和分子量的共同影响.抑制剂分子中PO结构含量越高,其抑制能力越强;分子结构相同时,抑制剂的分子量越大,其抑制强度越大.5种抑制剂都能够实现在1～10 A/dm2的电流密度范围内获得细致光亮的Cu镀层.采用100 mg/L 50HB-400作为抑制剂与2 mL/L加速剂聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)及5 mL/L整平剂L-500 搭配使用时,能够在6 A/dm2的大电流密度下对深径比≤5∶1的通孔实现高均匀性电镀.

关键词：印制线路板、通孔、电镀铜、抑制剂、均镀能力

所属期刊栏目：42

分类号：TQ153.1+4

在线出版日期：2023-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：43-49