10.19289/j.1004-227x.2023.09.007
大马士革工艺中电镀铜层杂质对其性能的影响
分别采用聚醚胺类物质、聚乙烯亚胺类物质和聚酰胺类物质作为大马士革铜互连电镀工艺的整平剂,得到杂质含量不同的Cu膜层,通过计时电位测试分析了不同整平剂对膜层杂质含量的影响机制.研究了杂质含量对Cu膜层自退火速率、应力和电阻率的影响.结果表明,膜层中杂质含量过高会引起Cu膜层的电阻和应力升高.采用聚乙烯亚胺类物质或聚酰胺类物质作为整平剂时电镀所得Cu膜层的杂质含量都较低.
大马士革工艺、电镀铜、整平剂、杂质、自退火、电阻率、应力、晶粒
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TQ153.1+4
2023-06-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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