工艺参数对GLSI铜互连阻挡层CMP抛光效果的影响

摘要：

采用无氧化剂、无抑制剂的弱碱性抛光液对阻挡层材料进行化学机械抛光(CMP).研究了胶体二氧化硅质量分数、抛光液流量、抛头转速、抛盘转速等工艺参数对Cu和正硅酸乙酯(TEOS)去除速率及铜互连钽基阻挡层图形片CMP后表面缺陷数量的影响.在SiO2磨料质量分数7.5％、抛光液流量250 mL/min、抛头转速107 r/min和抛盘转速113 r/min的条件下CMP时,Cu的去除速率为521?/min,TEOS的去除速率为878?/min,TEOS/Cu去除速率选择比为1.68,对图形片表面碟形坑和蚀坑分别修正了400?和200?,缺陷数低至57,表面粗糙度(Sq)低至0.778 nm.

关键词：极大规模集成电路、阻挡层、铜互连、化学机械抛光、弱碱性抛光液、去除速率、表面品质

所属期刊栏目：42

分类号：TG175(金属学与热处理)

资助基金：河北省自然科学基金E2019202367

在线出版日期：2023-02-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：46-52