不同粒径SiO2磨料混合对钴化学机械抛光的影响

摘要：

针对钴互连化学机械抛光(CMP)高去除速率的要求,提出将不同粒径的SiO2组合作为磨料进行CMP.对比了使用单一粒径与混合粒径SiO2磨料对钴去除速率的影响.结果表明,使用单一粒径磨料时,随着磨料粒径由40 nm增大到130 nm,钴的去除速率先增大后减小,SiO2粒径为100 nm时钴的去除速率最高,达到了447 nm/min.将两种不同粒径的SiO2磨料混合使用能够显著提高钴的去除速率.将粒径为40 nm和100 nm的SiO2磨料按质量比3:1混合使用时,钴的去除速率最高,达到了563 nm/min,抛光后钴的表面粗糙度(Sq)约为1.05 nm.

关键词：钴、化学机械抛光、二氧化硅、粒径、去除速率、表面粗糙度

所属期刊栏目：41

分类号：TG175(金属学与热处理)

资助基金：河北省自然科学基金E2019202367

在线出版日期：2022-12-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1695-1700