聚乙二醇对浅沟槽隔离中SiO2和Si3N4化学机械抛光速率选择性的影响

摘要：

在CeO2磨料质量分数为0.1％,抛光液pH为10的条件下,研究了非离子表面活性剂聚乙二醇(PEG-600)对浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)过程中SiO2和Si3N4去除速率的影响.结果表明,PEG-600的加入可以明显减小Si3N4的去除速率,但对SiO2去除速率的影响较小.当PEG-600质量分数为0.2％时,SiO2和Si3N4的去除速率之比为31.04,抛光后SiO2和Si3N4的表面粗糙度(Sq)分别降到0.416 nm和0.387 nm.

关键词：浅沟槽隔离、化学机械抛光、二氧化硅、氮化硅、二氧化铈、聚乙二醇、去除速率

所属期刊栏目：41

分类号：TG178(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金62074049

在线出版日期：2022-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1546-1551