10.19289/j.1004-227x.2022.21.011
聚乙二醇对浅沟槽隔离中SiO2和Si3N4化学机械抛光速率选择性的影响
在CeO2磨料质量分数为0.1%,抛光液pH为10的条件下,研究了非离子表面活性剂聚乙二醇(PEG-600)对浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)过程中SiO2和Si3N4去除速率的影响.结果表明,PEG-600的加入可以明显减小Si3N4的去除速率,但对SiO2去除速率的影响较小.当PEG-600质量分数为0.2%时,SiO2和Si3N4的去除速率之比为31.04,抛光后SiO2和Si3N4的表面粗糙度(Sq)分别降到0.416 nm和0.387 nm.
浅沟槽隔离、化学机械抛光、二氧化硅、氮化硅、二氧化铈、聚乙二醇、去除速率
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TG178(金属学与热处理)
国家自然科学基金62074049
2022-11-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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1546-1551