首饰基材表面反应磁控溅射SiO2薄膜工艺

摘要：

采用反应磁控溅射工艺在S950首饰基材表面沉积防指纹用的SiO2薄膜,研究了氧气流量、氧气体积分数、溅射电流和沉积时间对沉积速率和薄膜化学组成的影响.结果表明,膜层沉积速率随着溅射电流增大而快速增加,随着氧气流量增加而先升后降,随着氧气体积占比增加而先略升后稳定,随着镀膜时间的延长而略降.膜层的氧硅原子比随着氧气流量增加而快速增加,随着氧气体积分数增加而略有增加,随着溅射电流以及沉积时间的增加而降低.

关键词：首饰;反应磁控溅射;二氧化硅;防指纹膜;沉积速率;元素组成

所属期刊栏目：40

分类号：TG146.3(金属学与热处理)

资助基金：广东普通高校创新团队项目2017GKCXTD005

在线出版日期：2021-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1244-1249