不同抑制剂对铜图形片化学机械抛光后碟形坑及蚀坑的影响

摘要：

研究了苯并三氮唑(BTA)、1,2,4?三氮唑(TAZ)和2,2′?{[(甲基?1H?苯并三唑?1?基)甲基]亚氨基}双乙醇(TT)3种不同抑制剂对铜互连Ru/TaN阻挡层图形片化学机械抛光(CMP)后碟形坑及蚀坑的影响.静态腐蚀实验结果表明,BTA与TT能够较好地抑制铜的腐蚀,TAZ的抑制作用相对较弱.铜图形片CMP的结果表明,BTA和TT钝化能力强,仅1 mmol/L的用量即可较好地修正各种线宽/线间距的碟形坑及蚀坑.对于线宽/线间距为100μm/100μm和50μm/50μm的碟形坑,用BTA时修正了约1500?,用TT时修正了约1900?,而用TAZ时仅修正了约500?.其平坦化机理为BTA和TT能够与铜形成Cu-TT和Cu-BTA钝化膜吸附在铜表面,阻挡了Cu的进一步腐蚀.

关键词：钌/氮化钽阻挡层、化学机械抛光、铜图形片、静态腐蚀、碟形坑、蚀坑

所属期刊栏目：39

分类号：TG172(金属学与热处理)

资助基金：国家科技重大专项资助项目2016ZX02301003-004-007

在线出版日期：2020-12-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1545-1549