电弧离子镀/磁控溅射复合真空退火制备Ti2AlC涂层

摘要：

采用自主研发的大弧源技术,复合中频磁控溅射石墨靶,避免 H 元素的引入,在锆合金表面快速沉积了致密、超厚(约20 μm)的Ti-Al-C涂层.经过不同温度(550、650、750和850 ℃)和时间(1、2和3 h)的真空退火后发现,至少在650 ℃才能获得Ti2AlC结构,更高的温度会加速Ti2AlC的生成.高温沉积对制备Ti2AlC相涂层而言是必备的.

关键词：碳化铝钛、金属陶瓷、电弧离子镀、磁控溅射、真空退火、温度、微观结构

所属期刊栏目：38

分类号：TG174.444(金属学与热处理)

在线出版日期：2019-12-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1160-1165