基体负偏压及占空比对电弧离子镀CrN薄膜表面大颗粒和厚度的影响

摘要：

采用电弧离子镀技术在Si基体上沉积了CrN薄膜.利用扫描电镜观察薄膜的表面和截面形貌,通过Image-Pro Plus图像处理软件统计扫描电镜图像中大颗粒所占比例及密度.研究了基体负偏压和脉冲占空比对 CrN 薄膜表面大颗粒和厚度的影响.结果表明,基体负偏压从零升高至500 V时,薄膜表面大颗粒的占比和密度均不断下降,沉积速率降低;脉冲占空比从15%升高至75%时,薄膜表面大颗粒的占比先增加,而后在一定范围内波动,大颗粒密度则先增加后下降.脉冲占空比为15%时,大颗粒占比和密度均较低;脉冲占空比为75%时,大颗粒在薄膜表面的占比最高,但密度最低,表明此时大颗粒的尺寸较大.

关键词：氮化铬、薄膜、电弧离子镀、基体负偏压、占空比、表面形貌、沉积速率

分类号：TG174.444(金属学与热处理)

资助基金：广东省科学院创新人才引进资助项目2018GDASCX-0948;广东省自然科学基金2018A030313660;广州市科技计划项目201904010261;广东省科学院科技提升项目2017GDASCX-0111;广东省科技计划项目2017A070701027,2014B070705007

在线出版日期：2019-08-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：668-673