低共熔溶剂中电沉积制备钴-铈合金膜

摘要：

利用恒电位技术在由氯化胆碱和尿素组成的低共熔溶剂中在铜基体表面制备了Co-Ce合金膜,用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)和X射线衍射(XRD)对其进行表征.考察了电解液中金属离子浓度对合金膜的成分及形貌的影响.采用线性扫描伏安法、循环伏安法、电势阶跃计时电流法等电化学测量技术,研究了Co在铜电极上成核以及二元合金膜沉积的机理.结果表明,在Co2+、Ce3+的浓度分别为0.04 mol/L和0.03 mol/L的条件下以-1.09 V(相对于银电极)电解得到的合金膜表面结晶致密,Ce含量最高(其质量分数为3.3％),而Co含量为82.1％(质量分数).Co的沉积过程基本符合三维连续成核机制,而Co-Ce合金膜的电沉积遵循诱导共沉积机制.

关键词：钴-铈合金、低共熔溶剂、恒电位电解、连续成核、诱导共沉积、形貌、电化学

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分类号：TQ153.2

资助基金：青海基础研究计划项目2016-ZJ-753;国家自然科学基金21553002;教育部科技项目Z2016099

在线出版日期：2019-01-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：971-976