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10.19289/j.1004-227x.2018.12.001

基材种类对DMSO体系中电沉积碲化铋薄膜热电材料的影响

引用
采用循环伏安、极化曲线和电化学阻抗谱研究了DMSO溶剂体系中Bi(Ⅲ)、Te(Ⅳ)分别在Cu、Ni和Pt金属基材上的还原行为.结果表明,一元体系中Bi(Ⅲ)、Te(Ⅳ)离子在不同金属基体上的还原均为不可逆过程,还原顺序为Pt→Cu→Ni.在Bi–Te二元体系中,还原过程是分步进行的,还原顺序为Pt→Ni→Cu.通过恒电位沉积方式在Cu基体上电沉积制备了Bi–Te薄膜热电材料.分别采用金相显微镜和X射线衍射仪并对其形貌和物相结构进行了表征,并对其塞贝克系数作了测试.在?0.5、?0.6和?0.7V(相对于饱和甘汞电极)下电沉积制备的薄膜热电材料中均含有Bi2Te3以及单质Bi,且表现出N型半导体的特征.

铜、镍、铂、碲化铋、薄膜、二甲基亚砜、电沉积、电化学

37

TQ153.2

天津市教委备案项目2016ZT010603;天津商业大学国家基金培育项目2017ZT010502

2018-08-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

519-525

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