抛光液成分对铝栅化学机械抛光过程中铝去除速率的影响

摘要：

在低工作压力(1 psi)和低磨料用量(纳米硅溶胶体积分数2.5％,后同)下,通过单因素实验探讨了碱性抛光液组分(包括氧化剂H2O2、FA/O型螯合剂和非离子型表面活性剂)含量对铝栅化学机械抛光过程中铝去除速率的影响,确定抛光液的组成为:氧化剂1.5％,螯合剂0.5％,表面活性剂1.0％.铝的去除速率为1 00 nm/min,抛光后的表面粗糙座为8.85 nm.

关键词：铝栅、化学机械抛光、氧化剂、螯合剂、表面活性剂、去除速率

所属期刊栏目：35

分类号：TN305.2;TG175.3(半导体技术)

资助基金：国家中长期科技发展规划2009ZX02308

在线出版日期：2016-07-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：575-578