化学法去除碳化钨-钴涂层的工艺

摘要：

采用化学法分别去除GH4169合金及TC4合金基材表面的WC–Co等离子喷涂层。通过正交试验对去除液配方和处理温度进行优化。GH4169基WC–Co涂层的最优去除工艺条件为：HNO330 mL/L，H2O2550 mL/L，处理温度35°C。TC4合金基WC–Co涂层的最优去除工艺条件为：HNO370 mL/L，H2O2550 mL/L，处理温度30°C。采用上述工艺可有效去除GH4169和TC4表面的WC–Co涂层，对基体无明显的化学腐蚀，不会导致基体吸氢。1 L去除液可处理约10 dm20.3 mm厚的WC–Co涂层。

关键词：钛、高温合金、碳化钨、钴、等离子喷涂层、去除

分类号：TG174.36(金属学与热处理)

在线出版日期：2015-05-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：269-271